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碳化硅场效应管
碳化硅SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET结构实现高耐压和低阻抗,而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,实现散热部件的小型化。另外,SiC-MOSFET工作频率可以远高于IGBT,其电路中电感电容器件更小,容易实现系统小体积小重量。与同档600V~900V电压的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的芯片面积小,可采用更小型封装,而且体二极管的恢复损耗非常小。目前SiC MOSFET主要应用于高端工业电源,高端逆变器及转换器,高端电机拖动及控制等。

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