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电子百科
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栅极-源极电压产生的浪涌
  • 更新日期: 2024-05-10
  • 浏览次数: 1296
栅极-源极电压产生的浪涌是指在功率半导体器件(如MOSFET和IGBT)工作时,由于电压和电流的变化导致栅极和源极之间出现的意外、瞬时的电压波动现象。这种现象通常会在开关操作时出现,特别是在高速开关过程中更为显著。
LS MOSFET低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
  • 更新日期: 2024-05-09
  • 浏览次数: 961
LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样,为各事件进行了。与导通时相比,只是VDS和ID变化的顺序发生了改变,其他基本动作是一样的。与导通时的事件之间的对应关系:
SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作
  • 更新日期: 2024-05-08
  • 浏览次数: 654
当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会发生变化。在这个过程中,LS的ID沿增加方向流动,而HS的ID沿减少方向流动,受到等效电路图中表示的事件影响,产生了电动势。这个电动势会导致电流流向源极侧对CGS进行充电,在LS处将VGS向下推,在HS处将VGS向负极侧拉,产生负浪涌。
当SiC MOSFET桥式电路开关时产生的电流和电压是怎样的?
  • 更新日期: 2024-04-30
  • 浏览次数: 1041
dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负,因此它们产生的电流和电压在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时的极性是不同的。
SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路
  • 更新日期: 2024-04-29
  • 浏览次数: 954
LS(低侧)侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)的影响时,需要考虑包括SiC MOSFET的栅极驱动电路在内的等效电路。
SiC MOSFET的桥式结构
  • 更新日期: 2024-04-28
  • 浏览次数: 926
SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,区别在哪?
  • 更新日期: 2024-04-24
  • 浏览次数: 1144
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,具有以下区别: 驱动电压 由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性,其驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高时,导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化(下降)并逐渐减小,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动,以充分获得低导通电阻。换句话说,两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比S
碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)的特征
  • 更新日期: 2024-04-22
  • 浏览次数: 1135
相对于IGBT,SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。
SiC-SBD的特征是什么与Si二极管相比有什么不同
  • 更新日期: 2024-04-14
  • 浏览次数: 1042
SiC肖特基势垒二极管为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征是具备高速特性。
碳化硅(SiC)是什么?
  • 更新日期: 2024-04-10
  • 浏览次数: 1106
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。它具有强大的结合性质,在热、化学和机械方面非常稳定。SiC存在各种多型体,每种多型体的物理特性都不同。其中,4H-SiC多型体最适合功率器件。
整流桥的应用
  • 更新日期: 2023-04-12
  • 浏览次数: 1553
整流桥可将交流发动机产生的交流电转变为直流电,以实现向用电设备供电和向蓄电池进行充电。限制蓄电池电流倒转回发动机,保护交流发动机不被烧坏。
对稳压二极管如何进行识别判断?
  • 更新日期: 2023-04-10
  • 浏览次数: 1776
稳压二极管根据击穿电压来分档,也正是它的这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。然而稳压二极管也是有所区分的,对稳压二极管如何进行识别判断?

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